<h3>芯片漏電是失效分析案例中最常見的，找到漏電位置是查明失效原因的前提，液晶漏電定位、EMMI（CCD\InGaAs）、激光誘導等手段是工程人員經(jīng)常采用的手段。多年來，在中國半導體產(chǎn)業(yè)有個誤區(qū)，認為激光誘導手段就是OBIRCH。今日小編為大家科普一下激光誘導（laser scan Microscope).
目前激光誘導功能在業(yè)內(nèi)普遍被采用的有三種方法，這三種方法分別被申請了專#利（日本OBIRCH、美國TIVA、新加坡VBA）。國內(nèi)大多數(shù)人認為只有<span style="-webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0);">OBIRCH</span>才是激光誘導，其實TIVA和VBA和OBIRCH是同等的技術。三種技術都是利用激光掃描芯片表面的情況下，偵測出哪個位置的阻抗有較明顯變化，這個位置就可能是漏電位置。偵測阻抗變化就是用電壓和電流來反映，下面是三個技術原理：</h3><h3> 1、OBIRCH和TIVA<br></h3> <h3>如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V代表回路上的電壓。
OBIRCH；給器件回路加上一個電壓V，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電流I1的變化.
TIVA：給器件回路加上一個微小電流I1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測回路電壓V的變化.
2、VBA技術<br></h3> <h3>如上圖是一個器件的漏電回路，R1代表漏電點的阻抗，I1代表回路電流，V1代表回路上的電壓，R2是串聯(lián)在回路中的一個負載，V2是R2兩端的電壓。
VBA：給器件回路加上一個電壓V1，然后讓激光在芯片表面進行掃描，同時監(jiān)測V2的變化(V2/R2=I1，其實也是監(jiān)測I1的變化），這樣大家可以看出來了，VBA其實就是OBIRCH，只是合理回避了NEC專#利。</h3><h3>掃一掃 測試交流</h3> <h3>評論區(qū)</h3> <h3>季春葵：LIVA，TIVA，XIVA，OBIRCH，都是LSM<br></h3>