<p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 段 落</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 雙視頻開(kāi)場(chǎng)白</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 《北京大學(xué)邱晨光－</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 彭練矛團(tuán)隊(duì)攻堅(jiān)歷程》</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 一，北大1 納米概況</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 二，北大1 納米的跨時(shí)代意義</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">? 1. 北大1納米的真實(shí)含義 </b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 2. 中美芯片邏輯對(duì)抗</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 3. 能耗與存儲(chǔ)，矛盾的統(tǒng)一</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 4. 北大 1 納米的三件世界級(jí)突破</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 5. 北大 1 納米量產(chǎn)之路</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 三，彭練矛院士簡(jiǎn)介</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 四，邱晨光研究員簡(jiǎn)介</b></p><p class="ql-block"><br></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 雙視頻開(kāi)場(chǎng)白</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 《北京大學(xué)邱晨光－</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 彭練矛團(tuán)隊(duì)攻堅(jiān)歷程》</b></p><p class="ql-block"><br></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 一，北大1 納米概況</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">北京大學(xué)電子學(xué)院邱晨光研究員－彭練矛院士團(tuán)隊(duì)(蒙德歡、馬學(xué)洲 、沈子卓、徐林、彭連茂、邱晨光)成功研制出納米柵超低功耗鐵電晶體管，將鐵電晶體管工作電壓降低至0.6V，能耗降低至0.45fJ/μm，是目前國(guó)際上尺寸最小、功耗最低的鐵電晶體管。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">當(dāng)前，人工智能（AI）技術(shù)迅猛發(fā)展，對(duì)芯片提出了“超低功耗、高速存算、高集成度”的嚴(yán)苛需求。但現(xiàn)實(shí)中，AI芯片的性能提升始終受限于核心硬件瓶頸，尤其是數(shù)據(jù)存儲(chǔ)與運(yùn)算之間的協(xié)同效率不足，成為制約AI應(yīng)用向高端化、輕量化發(fā)展的關(guān)鍵因素。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">面對(duì)這一核心技術(shù)難題，研究團(tuán)隊(duì)在研發(fā)過(guò)程中實(shí)現(xiàn)了三大關(guān)鍵突破。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(1) 提出納米柵極電場(chǎng)增強(qiáng)機(jī)理，利用納米柵的尖端電場(chǎng)匯聚效應(yīng)，構(gòu)建了高度局域化的高密度電場(chǎng)匯聚區(qū)域，有效放大了鐵電層局部電場(chǎng)強(qiáng)度。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(2) 將鐵電極化翻轉(zhuǎn)電壓降低到超越常規(guī)平板鐵電體的矯頑電壓極限，成功將鐵電晶體管存儲(chǔ)電壓降低至0.6V，能耗降低至0.45fJ/μm，領(lǐng)先國(guó)際已有報(bào)道一個(gè)數(shù)量級(jí)。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(3) 探索了鐵電晶體管的尺寸微縮極限，柵電極物理尺寸縮減到1納米。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">這項(xiàng)工作突破了超低功耗鐵電存儲(chǔ)器研制的關(guān)鍵科學(xué)瓶頸，將存儲(chǔ)電壓降低到和邏輯電壓相當(dāng)水平，數(shù)據(jù)可以零障礙、低功耗、超高速雙向流動(dòng)。相關(guān)存儲(chǔ)器件有望大幅降低AI芯片整體功耗，并提升數(shù)據(jù)存算效率。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2026年2月23日邱晨光表示，這一技術(shù)打破了傳統(tǒng)鐵電晶體管的物理限制，使得能耗比國(guó)際最好水平整整降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">邱晨光解釋?zhuān)兄凸ぷ麟妷号c極低能耗特性的納米柵鐵電晶體管，不僅能為構(gòu)建高能效數(shù)據(jù)中心提供核心器件方案，也為發(fā)展下一代高算力人工智能芯片奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 二，北大1 納米的跨時(shí)代意義</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?</b></p> <p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">傳統(tǒng)鐵電晶體管存在能耗過(guò)高、邏輯電壓不匹配等短板限制了其大規(guī)模應(yīng)用。為此，北京大學(xué)邱晨光研究員一彭練矛院士團(tuán)隊(duì)利用納米柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，巧妙解決了鐵電材料改變極化狀態(tài)需要高電壓高能耗的問(wèn)題。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">邱晨光表示，這一技術(shù)打破了傳統(tǒng)鐵電晶體管的物理限制，使得能耗比國(guó)際最好水平整整降低了一個(gè)數(shù)量級(jí)。邱晨光解釋?zhuān)兄凸ぷ麟妷号c極低能耗特性的納米柵鐵電晶體管，不僅能為構(gòu)建高能效數(shù)據(jù)中心提供核心器件方案，也為發(fā)展下一代高算力人工智能芯片奠定關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)的 1 納米芯片理論發(fā)表在美國(guó)《Science Advances》期刊上，它突破1納米鐵電晶體管技術(shù)，直接挑戰(zhàn)芯片物理極限，實(shí)現(xiàn)全球最低功耗與存算一體，為中國(guó)芯片開(kāi)辟全新賽道。這不僅是技術(shù)飛躍，更是打破美國(guó)封鎖的關(guān)鍵一步，未來(lái)或徹底改變AI、手機(jī)、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。中國(guó)科技正在逆境中爆發(fā)，從跟跑轉(zhuǎn)向領(lǐng)跑。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">1. 北大1納米的真實(shí)含義</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">幾納米芯片是臺(tái)積電、三星用來(lái)宣傳的“等效工藝節(jié)點(diǎn)”，代表的是性能、功耗的對(duì)標(biāo)水平，不等于晶體管的物理寬度。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">但是，北大1納米是真正物理意義上的1納米柵長(zhǎng)，也就是晶體管里控制電流的那道“門(mén)”的真實(shí)寬度只有1納米，大約是幾個(gè)原子、幾個(gè)電子排在一起的厚度。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">再小下去，電子就會(huì)出現(xiàn)量子隧穿效應(yīng)，直接“穿墻而過(guò)”，開(kāi)關(guān)徹底失控。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">換句話說(shuō)，北大1納米不是在追別人的工藝，而是直接摸到了人類(lèi)現(xiàn)有電子器件的物理極限天花板。這項(xiàng)成果是基礎(chǔ)科學(xué)的硬核突破，不是馬上量產(chǎn)的手機(jī)芯片</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">2. 中美芯片邏輯對(duì)抗</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">美國(guó)“卡脖子”的真正邏輯：以為卡死光刻機(jī)，就能卡死中國(guó)。核心抓手只有一個(gè)：高端EUV光刻機(jī)。沒(méi)</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">有它就造不出來(lái)極小尺寸的開(kāi)關(guān)，高端CPU、GPU、AI芯片、超算就全落后，人工智能不行、算力不行、國(guó)防裝備不行、數(shù)據(jù)中心不行。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">最后，永遠(yuǎn)被踩在腳下。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">這就是美國(guó)一整套科技封鎖閉環(huán)。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">從設(shè)備、材料、軟件、專(zhuān)利、產(chǎn)業(yè)鏈，全方位圍堵。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">美國(guó)是靠光刻機(jī)把開(kāi)關(guān)越做越小，而北大1 納米是直接換一套物理原理，重新做一個(gè)開(kāi)關(guān)，建立新的底層、新的體系。這才是真正意義上的換道超車(chē)。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">3. 能耗與存儲(chǔ)，矛盾的統(tǒng)一</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">我們現(xiàn)在進(jìn)入了一個(gè)時(shí)代：</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> AI時(shí)代 = 算力時(shí)代 = 數(shù)據(jù)時(shí)代。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">全球芯片行業(yè)，現(xiàn)在都遇到了同一個(gè)功耗與存儲(chǔ)的矛盾。不管是聊天機(jī)器人、AI視頻、自動(dòng)駕駛、大數(shù)據(jù)分析、大模型訓(xùn)練，這一切的背后，都是兩個(gè)字：算力。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">現(xiàn)在的芯片結(jié)構(gòu)有一個(gè)先天的弊?。?lt;/b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">邏輯芯片（CPU/GPU），像是一個(gè)超級(jí)聰明、反應(yīng)極快的大腦，2納米芯片工藝，工作電壓只要0.7伏，用很少的電力；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">存儲(chǔ)芯片（內(nèi)存/閃存），像是記性很好，但動(dòng)作很慢的倉(cāng)庫(kù)，架構(gòu)幾十年沒(méi)變過(guò)，讀寫(xiě)數(shù)據(jù)需要5伏以上高壓，用大量的電力。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">于是，芯片內(nèi)部必須不停地執(zhí)行0.7V 升壓 5V 存儲(chǔ)數(shù)據(jù) ，再降壓 0.7V 計(jì)算數(shù)據(jù)。浪費(fèi)了大量時(shí)間和電能，且產(chǎn)生大量熱量。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">現(xiàn)在AI 芯片超過(guò)70%的能耗和時(shí)間，不是用在計(jì)算上，而是用在數(shù)據(jù)傳輸和電壓轉(zhuǎn)換上。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">誰(shuí)能推倒它，誰(shuí)就能主導(dǎo)下一個(gè)時(shí)代。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">而這次北大 1 納米鐵電晶體管就是從根基上解決這個(gè)弊病，來(lái)主導(dǎo)下一個(gè)新時(shí)代。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">4. 北大 1 納米的三件世界級(jí)突破</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(1) 北大鐵電晶體管做到了物理極限：1納米，全世界最小、功耗最低。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(2) 北大 1 納米的工作電壓做到了全球最低：0.6伏。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">現(xiàn)在最頂級(jí)的2納米手機(jī)芯片，電壓也要0.7伏。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">計(jì)算和存儲(chǔ)，可以在同一個(gè)電壓下工作了，達(dá)到了矛盾的統(tǒng)一。免去了原來(lái)芯片內(nèi)部那些用來(lái)升壓、降壓的電路、變壓器、轉(zhuǎn)換模塊。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(3) 北大 1 納米的能耗低至0.45飛焦/微秒。比目前國(guó)際上最好的水平強(qiáng)10倍。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">北大這個(gè)技術(shù)，就是降維打擊。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">5. 北大 1 納米量產(chǎn)之路</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">1納米鐵電晶體管的制備工藝可直接對(duì)接現(xiàn)有的CMOS半導(dǎo)體產(chǎn)線，無(wú)需重建昂貴的全新生產(chǎn)線，這大大降低了從實(shí)驗(yàn)室走向市場(chǎng)的門(mén)檻??。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">多家國(guó)內(nèi)芯片企業(yè)已主動(dòng)與北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)接洽，尋求技術(shù)合作與轉(zhuǎn)化??。例如，北京大學(xué)深圳研究生院信息工程學(xué)院已于2025年6月與?芯邦科技?聯(lián)合成立“存算一體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”，共同推進(jìn)相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化??官網(wǎng)。這表明產(chǎn)業(yè)界對(duì)這項(xiàng)技術(shù)的高度認(rèn)可和積極布局。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">根據(jù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人邱晨光研究員的公開(kāi)表態(tài)，該技術(shù)預(yù)計(jì)在?3-5年內(nèi)?分階段實(shí)現(xiàn)商業(yè)化：</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1-2年內(nèi)?：率先應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器、可穿戴設(shè)備等對(duì)功耗要求極高的領(lǐng)域，進(jìn)行小批量量產(chǎn)驗(yàn)證。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2-3年內(nèi)?：拓展至手機(jī)、平板等消費(fèi)電子產(chǎn)品，有望顯著提升設(shè)備續(xù)航能力。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?3-5年內(nèi)?：突破高端集成技術(shù)，應(yīng)用于AI芯片、數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、自動(dòng)駕駛等對(duì)算力和能效要求極致的領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用??。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">該成果獲得了國(guó)家自然科學(xué)基金的重點(diǎn)資助，后續(xù)將持續(xù)支持其技術(shù)轉(zhuǎn)化，確?！爸袊?guó)原創(chuàng)”技術(shù)能盡快走向產(chǎn)業(yè)一線??。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 三，彭練矛院士簡(jiǎn)介</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">? 彭練矛，中國(guó)科學(xué)院院士，北京大學(xué)電子學(xué)院院長(zhǎng)、教授、博士生導(dǎo)師；北京元芯碳基集成電路研究院院長(zhǎng)；湘潭大學(xué)湖南先進(jìn)傳感與信息技術(shù)創(chuàng)新研究院院長(zhǎng)??。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">長(zhǎng)期從事碳基電子學(xué)與納米電子材料研究，是我國(guó)碳基芯片領(lǐng)域發(fā)展的領(lǐng)軍人物。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">基本信息</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1962年9月出生于湖南省平江縣；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1978–1982年?，就讀于北京大學(xué)無(wú)線電電子學(xué)系，獲學(xué)士學(xué)位；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1983–1988年?，通過(guò)CUSPEA計(jì)劃赴美，在美國(guó)亞利桑那州立大學(xué)攻讀博士，師從高分辨電子顯微學(xué)權(quán)威J.M. Cowley教授，獲博士學(xué)位；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1988–1994年?，先后在挪威奧斯陸大學(xué)、英國(guó)牛津大學(xué)從事博士后及研究員工作，專(zhuān)注于電子顯微學(xué)與納米結(jié)構(gòu)研究??官網(wǎng)?；</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">回國(guó)與科研歷程</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1994年底?，毅然放棄牛津大學(xué)優(yōu)厚待遇，舉家回國(guó)，投身祖國(guó)納米科技事業(yè)；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?1994–1999年?，任中國(guó)科學(xué)院物理研究所研究員；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">1999年至今?：受聘為北京大學(xué)“長(zhǎng)江學(xué)者”特聘教授，歷任電子學(xué)系主任、信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">隨著硅基微電子器件尺寸逐漸進(jìn)入深亞微米領(lǐng)域，后摩爾時(shí)代的非硅電子學(xué)發(fā)展成為了科研焦點(diǎn)。為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，北京大學(xué)在1999年成立了 碳基納電子材料與器件研究團(tuán)隊(duì)，致力于實(shí)現(xiàn)中國(guó)主導(dǎo)的芯片技術(shù)“直道”超車(chē)。沒(méi)有芯片技術(shù)，中國(guó)的現(xiàn)代化便無(wú)從談起；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2021年起，任北京大學(xué)電子學(xué)院院長(zhǎng)??；</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?研究方向?</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">碳基CMOS集成電路與光電器件的無(wú)摻雜制備技術(shù)；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">超低功耗狄拉克源晶體管；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">納米電子材料與器件的物理基礎(chǔ)；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">彈道二維半導(dǎo)體晶體管（如InSe）??；</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2017年?，首次實(shí)現(xiàn)?5納米柵長(zhǎng)碳納米管晶體管?，綜合性能比當(dāng)時(shí)最先進(jìn)硅基器件領(lǐng)先約10倍，接近理論極限??官網(wǎng)?；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2024年?：團(tuán)隊(duì)研制出?世界首個(gè)基于碳納米管的張量處理器芯片（TPU）???；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2026年2月?，與邱晨光團(tuán)隊(duì)合作，利用納米柵極結(jié)構(gòu)解決鐵電晶體管高能耗問(wèn)題，推動(dòng)其大規(guī)模應(yīng)用??；</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">榮譽(yù)與獎(jiǎng)項(xiàng)</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2010年度和2016年度國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)（兩項(xiàng)成果均與碳基電子學(xué)相關(guān)）??；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2000年度和2017年度“中國(guó)高等學(xué)校十大科技進(jìn)展”等殊榮。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2017年，獲全國(guó)創(chuàng)新?tīng)?zhēng)先獎(jiǎng)?；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2018年，獲何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)?；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2019年?，當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院?技術(shù)科學(xué)部院士???；獲國(guó)家自然科學(xué)二等獎(jiǎng)?；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?2000年，成為英國(guó)物理學(xué)會(huì)會(huì)士?；</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">社會(huì)任職與人才培養(yǎng)</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">擔(dān)任中國(guó)真空學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、中國(guó)電子顯微鏡學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng)、國(guó)際晶體學(xué)會(huì)電子衍射委員會(huì)委員等職??；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">培養(yǎng)博士生、碩士生及博士后多名，學(xué)生包括北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院副研究員丁力等??；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">多次獲評(píng)“北京大學(xué)十佳導(dǎo)師”、“全國(guó)優(yōu)秀博士學(xué)位論文指導(dǎo)教師”??。</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">卓越的學(xué)術(shù)成就</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">彭練矛院士作為該團(tuán)隊(duì)的領(lǐng)軍人物，在納米結(jié)構(gòu)、物理性質(zhì)及器件研究方面享有國(guó)際聲譽(yù)。他曾經(jīng)四次擔(dān)任國(guó)家973計(jì)劃和重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃項(xiàng)目的首席科學(xué)家，并在國(guó)際知名期刊上發(fā)表論文400余篇，這些論文被引用了21000余次。彭院士的卓越成就不僅贏得了學(xué)術(shù)界的認(rèn)可，更榮獲了多項(xiàng)大獎(jiǎng)。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"> 四，邱晨光研究員簡(jiǎn)介</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">?</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">? 邱晨光，北京大學(xué)電子學(xué)院長(zhǎng)聘副教授、博士生導(dǎo)師，現(xiàn)任物理電子學(xué)研究所/碳基電子學(xué)研究中心研究員。 ??</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">?</b><b style="font-size:22px;">研究領(lǐng)域?</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">主要從事后摩爾芯片技術(shù)研究，聚焦高性能低維電子器件與系統(tǒng)，具體方向包括亞納米節(jié)點(diǎn)低維晶體管與集成電路、新機(jī)理納米器件、三維集成等。 ??</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">研制出世界上彈道率最高的二維晶體管（彈道InSe晶體管）、實(shí)現(xiàn)5納米柵長(zhǎng)碳納米管晶體管、提出并實(shí)現(xiàn)狄拉克冷源超低功耗新器件機(jī)制、發(fā)明稀土釔摻雜解決二維半導(dǎo)體接觸難題、制備高性能二維環(huán)柵晶體管等。 ??</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">邱晨光研究成果被國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖（IRDS）收錄，并被臺(tái)積電、英特爾、三星等業(yè)界巨頭引用。 ??</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">個(gè)人經(jīng)歷</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">(出生年月日和出生地查無(wú)信息)</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2011年，獲西安電子科技大學(xué)微電子專(zhuān)業(yè)學(xué)士學(xué)位；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2016年，獲北京大學(xué)物理電子學(xué)博士學(xué)位；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2016-2019年，在北京大學(xué)從事博士后研究；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2019年起，入職北京大學(xué)電子學(xué)院任研究員，后獲聘長(zhǎng)聘副教授。 ??</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">北京大學(xué)“博雅青年學(xué)者”；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">國(guó)家基金委優(yōu)秀青年科學(xué)基金獲得者；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2021年，國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃青年首席科學(xué)家，并曾獲中國(guó)電子學(xué)會(huì)青年科學(xué)家獎(jiǎng)、中國(guó)十大新銳科技人物等榮譽(yù)。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2023年，5納米晶體管研究入選中國(guó)高校十大科技進(jìn)展；彈道InSe晶體管性能超過(guò)英特爾硅基器件相關(guān)成果入選中國(guó)十大科技進(jìn)展新聞；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2023年，獲達(dá)摩院青橙獎(jiǎng)；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2024年，獲科學(xué)探索獎(jiǎng)；</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2024年《麻省理工科技評(píng)論》“35歲以下科技創(chuàng)新35人”亞太區(qū)入選者。</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2025年，以第一通訊作者在《科學(xué)》發(fā)表“先進(jìn)節(jié)點(diǎn)InSe晶體管的晶圓集成”、“5納米柵長(zhǎng)碳納米管晶體管”、“狄拉克冷源晶體管”論文三篇；以第一通訊作者在在《自然》（Nature）發(fā)表論文一篇。</b></p> <p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">2026年2月27日，其團(tuán)隊(duì)在《科學(xué)進(jìn)展》</b></p> <p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"> 下圖為該期封面 ?</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">上發(fā)表了題為“具備0.6伏超低工作電壓的納米柵極鐵電晶體管”的論文</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">作者：蒙德歡、馬學(xué)洲、 沈子卓、 徐林、彭連茂、邱晨光</b></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;"><span class="ql-cursor">?</span></b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:22px;">論文摘要</b></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><b style="font-size:20px;">鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FeFET）作為電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型非易失性存儲(chǔ)器，具有極低功耗與高速特性。盡管研究者們付出了諸多努力，F(xiàn)eFET仍未能成功縮小至亞5納米節(jié)點(diǎn)技術(shù)，其工作電壓超過(guò)1.5伏，導(dǎo)致其無(wú)法與單片邏輯核心相匹配。本研究采用金屬單壁碳納米管作為柵極電極，將二硫化鉬鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵長(zhǎng)縮減至1納米。這種納米柵極方案可實(shí)現(xiàn)電場(chǎng)聚焦效應(yīng)，增強(qiáng)鐵電體與金屬氧化物半導(dǎo)體間的電容耦合，從而將工作電壓降至0.6伏，低于傳統(tǒng)鐵電體的矯頑力電壓。納米柵鉬二硫化物鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管展現(xiàn)出卓越的存儲(chǔ)性能：開(kāi)/關(guān)電流比高達(dá)2×10?，編程速度達(dá)1.6納秒。本研究證實(shí)納米柵鐵電場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有抗短溝道效應(yīng)特性，彰顯了鐵電電子學(xué)在實(shí)現(xiàn)亞納米級(jí)芯片卓越縮放性、高性能與高能效方面的巨大潛力。</b></p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p> <p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block"><br></p><p class="ql-block">.</p>